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EDI超纯水系统助力芯片工艺不断突破

作者:lin发表时间:2022-06-02

  芯片生产离不开超纯水,超纯水生产离不开EDI超纯水系统,EDI超纯水系统助力芯片工艺不断突破。从22nm工艺节点推出3D晶体管之后,芯片产业仿佛打通了任督二脉,Flash、封装、甚至NAND,都开始走向3D,芯片3D时代悄然已至。

  1、迈出第1步的3D晶体管

  晶体管是早期实现3D化的,毕竟按照摩尔定律,晶体管的数量与芯片性能息息相关,在平面晶体管时代,22nm基本就是大家公认的极限了,为了突破这个工艺极限,FinFET晶体管诞生了。

  之前人们都认为5nm将是FinFET的极限,但2020年台积电打破了这个瓶颈,其在2020年第1季的法人说明会上,透露了3nm将继续采取FinFET晶体管技术。而台积电3nm也预计将于今年下半年出货。不过,这个立体结构的微缩也并非无极限,3nm似乎真的已经是极限了,从当前的消息来看,台积电到了2nm也将转采其他的技术,也就是下面要说到的GAA。

  2、GAA FET晶体管

  GAA全称Gate-All-Around,是一种环绕式栅极晶体管技术,被认为是FinFET技术的升级版。与FinFET的不同之处在于,GAA通过使用纳米片设备制造出了MBC FET(多桥通道场效应管),其设计通道的四个面周围有栅极,减少漏电压并改善了对通道的控制,这是缩小工艺节点时的基本步骤。

  3、冲向200层的3D Flash

  从时间上看,第1个3D晶体管和第1代3D NAND闪存芯片推出的时间相差无几。2011年,英特尔推出世界上第1个3D三维晶体管,2012年三星推出第1代3D NAND闪存芯片,也是第1款32层SLC V-NAND SSD——850 PRO。

  闪存走向3D也是发展的必然趋势,毕竟这些年,澳门美梅高注册的网络社交方式从文字到图片再到视频,数据量呈指数级增长,平面NAND已达到其产能发展的极限,再发展下去只会影响其性能、耐用性和可靠性。为了能在有限的空间里存储更多的数据,也为了追求更高的存储密度,闪存工业也开始向3D迈进。

  4、火爆的3D封装

  3D封装在前段时间也是狠狠火了一把,引爆点在于苹果在3月9日凌晨推出的M1 Ultral芯片,就是笔者在开头提到的那个拥有1140亿个晶体管的芯片,而该芯片采用的就是台积电的3D Wafer-on-Wafer封装技术。

  随着芯片越来越复杂,芯片面积、良率和复杂工艺的矛盾难以调和,3D封装是发展的必然趋势。与传统的封装相比,3D封装技术有望提供更高的芯片连接性和更低的功耗。(新闻来源:贤集网电子放大镜)

  以上即为EDI超纯水系统助力芯片工艺不断突破的全部内容,更多EDI超纯水系统相关资讯敬请期待。

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